艾特商业网

SK海力士计划开发4F2结构DRAM以缩减成本

更新时间:2024-08-13 09:22:09

导读 格隆汇8月13日|SK海力士宣布计划开发4F2结构(垂直栅)的DRAM,就像其竞争对手三星一样。SK海力士研究员指出,自1c DRAM商业化以来,极紫外...

格隆汇8月13日|SK海力士宣布计划开发4F2结构(垂直栅)的DRAM,就像其竞争对手三星一样。SK海力士研究员指出,自1c DRAM商业化以来,极紫外(EUV)工艺的成本一直在快速上升,现在是时候质疑使用EUV制造DRAM是否有利可图了。

文章转载自:互联网,非本站原创

免责声明:本文由用户上传,如有侵权请联系删除!