格隆汇8月13日｜据澎湃，人工智能的飞速发展迫切需要高速非易失存储技术。当前主流非易失闪存的编程速度普遍在百微秒级，无法支撑应用需求。复旦大学周鹏-刘春森团队前期研究表明二维半导体结构能够将其速度提升一千倍以上，实现颠覆性的纳秒级超快存储闪存技术。然而，如何实现规模集成、走向真正实际应用仍极具挑战。从界面工程出发，团队在国际上首次实现了最大规模1Kb纳秒超快闪存阵列集成验证，并证明了其超快特性可延伸至亚10纳米。北京时间8月12日下午，相关成果以《二维超快闪存的规模集成工艺》（“A scalable integration process for ultrafast two-dimensional flash memory”）为题发表于《自然-电子学》（Nature Electronics）。

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